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GaN 功率放大器载体

频率:4.5-4.9GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益9.5dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA507
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:5.5W,射频端口:贴装焊接
3DA525
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:11W,射频端口:贴装焊接
3DA526
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GaN 内匹配功放管

频率:0.8-2GHz,最大增益:11dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2-2.5GHz,最大增益:10dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2.7-3.5GHz,最大增益:12dB,,28V
HG533FG
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GaN 内匹配功放管

频率:3.7-4.2GHz,最大增益:12dB,,28V
HG534FI