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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.1GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.1GHz,最大增益43dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益39dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益11dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:3.1-3.5GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:4.5-4.9GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3GHz,最大增益42dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益21dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益8dBm,输出功率:49dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.4dBm,输出功率:90W,射频端口:贴装焊接
WD0565
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益7.4dBm,输出功率:220W,射频端口:贴装焊接
WD0563
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益7.2dBm,输出功率:185W,射频端口:贴装焊接
WD0563A