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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:31.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4142S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41160S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
NC41120S-2
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功率放大器芯片

频率:2-20GHz,最大增益:9.5dB,输出功率:29.5dBm,10/0.292V
HG137FA
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功率放大器芯片

频率:2-18GHz,最大增益:10dB,输出功率:27dBm,8/0.145V
HG136F-4
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中功率放大器芯片

频率:2-4.2GHz,最大增益:10dB,输出功率:22.5dBm,5V,0.145mA
HG123F2
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中功率放大器芯片

频率:2-4.2GHz,最大增益:11dB,输出功率:24.5dBm,5V,0.17mA
HG123F3
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功率放大器芯片

频率:2-16GHz,最大增益:8.5dB,输出功率:29dBm,8/0.34V
HG136F-5
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,最大增益:11.5dB,输出功率:32.5dBm,8/0.46V
HG134F2
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GaN 内匹配功放管

频率:2-2.5GHz,最大增益:10dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2-3.4GHz,最大增益:10dB,,28V
HG533FB