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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC41143S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益11dBm,输出功率:32.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41142S-8
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:14dB,输出功率:23dBm,5V,0.185mA
HG125F5
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:15dB,输出功率:26dBm,8V,0.14mA
HG125F7
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:17dB,,5V,0.7mA
HG135F6
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GaN 内匹配功放管

频率:9-10GHz,最大增益:17dB,,28V
HG535F