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GaAs 内匹配功率管

频率:6.7GHz-6.9GHz,增益9dBm,输出功率:36.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:6.8GHz-7.2GHz,增益9dBm,输出功率:39dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益9.5dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA507
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:5.5W,射频端口:贴装焊接
3DA525
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:11W,射频端口:贴装焊接
3DA526
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功率放大器芯片

频率:2-20GHz,最大增益:9.5dB,输出功率:29.5dBm,10/0.292V
HG137FA
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功率放大器芯片

频率:2-18GHz,最大增益:10dB,输出功率:27dBm,8/0.145V
HG136F-4
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功率放大器芯片

频率:34-37GHz,最大增益:14dB,输出功率:28dBm,5V,0.53mA
HG138F-4
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中功率放大器芯片

频率:1.5-6GHz,最大增益:12dB,输出功率:20.5dBm,5V,0.095mA
HG124FE
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中功率放大器芯片

频率:2-4.2GHz,最大增益:10dB,输出功率:22.5dBm,5V,0.145mA
HG123F2
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中功率放大器芯片

频率:2-4.2GHz,最大增益:11dB,输出功率:24.5dBm,5V,0.17mA
HG123F3
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中功率放大器芯片

频率:4.5-7GHz,最大增益:9dB,输出功率:18.5dBm,5V,0.045mA
HG124F3