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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,
HGC116MPDLP4

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