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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,

型号:HGC114

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,

型号:HGC112

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,

型号:HGC127

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,

型号:HGC129

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,