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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
NC16112C-105PD
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全正电，反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129

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