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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns

型号:NC1646C-120

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns

型号:NC16102C-4050

开关芯片

#REF!

型号:HG126KB

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,

型号:HGC126

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,

型号:HGC114LP3

单刀双掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸：1.5*1.5*0.1

型号:AMSW0003S

单刀双掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸：1.3*0.9*0.1

型号:AMSW0006S

开关芯片

频率:0-15GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,1.49*1.223mm×mm

型号:SIS032

开关芯片

频率:0-15GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:40dB,3*3mm×mm

型号:SIS032SP3

服务热线:(86) 028-84085873