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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:55dB,
HG123KF-1A