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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
NC1620C-106
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
NC1643C-106PD
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
NC16113C-106PD
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4

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