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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,

型号:HGC124

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,

型号:HGC125

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,

型号:HGC126

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm

型号:SIS029