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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3