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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1004LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:60dB,
HGC1006LP4
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单刀双掷

频率:0-13GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:40dB,
HGC1015LP4
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
ISW-0006DT
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GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:52dB,
ISW2A
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1