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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG145KC-1
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,
HGC116
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG146KB
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开关芯片

频率:0-18GHz,插入损耗:3.2dB,隔离度:55dB,2.45*2.22mm×mm
SIS037