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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:39dB,

型号:ISW1A

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,

型号:ISW4B2

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:52dB,

型号:ISW5

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW6

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW8