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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
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全正电，匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT
...

GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT

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