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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,
ISW3B2