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...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1627C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,
HGC126
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,
HGC121
...

匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC115
...

匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,
HGC116
...

匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,
HGC116MPDLP4
...

全正电，匹配式 SPT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,
HGC122
...

单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1
AMSW0001S

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