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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
NC16110C-1932
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812

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