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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T