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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

500-2000MHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离80dB,功率容量0.2W
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T