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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

全正电，匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117

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