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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21218
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

500-2000MHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离80dB,功率容量0.2W
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

4000-8000MHz单刀八掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22818
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22806