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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
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全正电,匹配式 SPT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC120
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匹配式 SPT

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC118-PD
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单刀四掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,芯片尺寸:1.5*2.0*0.1
AMSW0002S