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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns

500-2000MHz单刀四掷开关，SMA-K，隔离80dB，功率容量0.2W

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,

型号:HGC129

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:42dB,1.60*1.00mm×mm

型号:SIS041

品牌	中电科十三所 (1) 康迈微 (1) 中科海高 (6) 仕芯半导体 (1)
最小使用频率(MHz)	2000 (1) 100 (1)	-
最大使用频率(MHz)	500~4000 (2) 5000~6000 (5) 18000~26500 (2)	-
接口形式	SMA (1)
类别	单刀双掷 (3) 吸收式 (1) 单刀八掷 (1) 单刀三掷 (1) 单刀五掷 (1) 单刀六掷 (1) 单刀单掷 (1)
插入损耗(dB)	1~1.2 (3) 1.4~1.5 (3) 1.7~1.8 (2) 2~2 (1)	-
隔离度(dB)	35~40 (3) 42~50 (4) 65~80 (2)	-
功率容量(W)	2 (7) 0.2 (1)	-
开关时间(ns)	50 (2) 80 (2) 270 (4) 200 (1)	-
开关结构	电子开关 (1)
分配路数(路)	4 (1)	-