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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:18dBm,输出功率:42dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:16dBm,输出功率:40dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:19dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:15dBm,输出功率:26dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:19dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:34-36GHz,增益:15.5dBm,输出功率:41.5dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:1.2GHz-1.2GHz,增益16.3dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1.6GHz-1.6GHz,增益16.3dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:1.14GHz-1.24GHz,增益15dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:5-6GHz,最大增益19.5dBm
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:4.5-4.9GHz,最大增益17dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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GaN 功放芯片

频率:8-11.5GHz,最大增益:19.5dB,,28V
HG135FC
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GaN 功放芯片

频率:0.03-2.5GHz,最大增益:15dB,,28V
HG152FA
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GaN 功放芯片

频率:6-18GHz,最大增益:16dB,,28V
HG156FB