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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-17GHz,增益:28dBm,输出功率:2dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-17GHz,增益:28dBm,输出功率:2dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:11-16GHz,增益:20dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.4,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-19GHz,增益:26dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:12-19GHz,增益:26dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益27dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益20dBm
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低噪声放大器芯片

频率:12-20GHz,最大增益:29dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:6.5dBm,5V,14mA
HG117FG
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:22.5dB,噪声系数:0.9dB,输出功率:7dBm,5V,43mA
HG115FD-6
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压控振荡器

频率:10.2-13GHz,输出功率:7dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,65mAmA
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压控振荡器

频率:8-9.6GHz,输出功率:7dBm,相位噪声@100KHz:-97dBc/Hz,5V,21mA
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:19.5dB,噪声系数:1.3dB,输出功率:4dBm,5V,15mA
HG115FK
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低噪声放大器芯片

频率:12-20GHz,最大增益:28dB,噪声系数:1.3dB,输出功率:7dBm,5V,15mA
HG117F3
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GaAs宽带单片集成VCO

频率:9-18GHz,输出功率:6dBm,相位噪声@100KHz:-90dBc/Hz,5V,70mA
IVO0918