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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:8.5dBm,输出功率:9.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:9dBm,输出功率:8dBm,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-11GHz,最大增益21dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8.5-10GHz,最大增益21dBm
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低噪声放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益35dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益:21.5dB,噪声系数:0.9dB,输出功率:8dBm,5V,30mA
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:26dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:10dBm,5V,30mA
HG115FN-1
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压控振荡器

频率:7-12GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-96dBc/Hz,5V,65mA
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压控振荡器

频率:7-11GHz,输出功率:11dBm,相位噪声@100KHz:-96dBc/Hz,5V,65mAmA
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压控振荡器

频率:6-10GHz,输出功率:11dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,70mAmA
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压控振荡器

频率:6.8-12.6GHz,输出功率:9dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,65mAmA
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压控振荡器

频率:10-13.5GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-94dBc/Hz,5V,60mAmA