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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:12GHz-12GHz,增益7dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC4118S-12
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GaAs 内匹配功率管

频率:9.4GHz-9.8GHz,增益7.5dBm,输出功率:33dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:9.4GHz-9.8GHz,增益7.5dBm,输出功率:39dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:10.4GHz-10.6GHz,增益7dBm,输出功率:37dBm,射频端口:贴装焊接
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:19.5dBm,5V,0.08mA
HG125F
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中功率放大器芯片

频率:6-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:23.5dBm,5V,0.185mA
HG125F3