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GaAs PIN 开关芯片
单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1669C-218
GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1678C-2540R
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
型号:
NC1646C-120
GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1677C-1830R
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
型号:
NC1615C-112
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
型号:
NC1601C-118PD
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
型号:
NC16114C-118
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
型号:
NC1631C-112PD
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
型号:
NC1632C-2527PD
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
型号:
NC16103C-3040
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
型号:
NC1641C-104
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
型号:
NC16106C-106
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
型号:
NC1628C-112
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
型号:
NC16105C-112PD
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
型号:
NC16105C-112PDM
GaAs FET 开关芯片(负压控制)
单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
型号:
NC1634C-104
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