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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:15.5dBm,输出功率:11dBm,噪声:1.7,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益20dBm
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:22.5dB,噪声系数:0.9dB,输出功率:7dBm,5V,43mA
HG115FD-6
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压控振荡器

频率:7.4-12.7GHz,输出功率:12dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA
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压控振荡器

频率:6.4-12.2GHz,输出功率:12dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA
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压控振荡器

频率:6.5-12GHz,输出功率:12dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,60mA
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低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益:28.5dB,噪声系数:1dB,输出功率:11dBm,5V,45mA
HGC371
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:28dB,噪声系数:1dB,输出功率:11dBm,5V,40mA
HG115FN
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:26dB,噪声系数:1.2dB,输出功率:10dBm,4V,60mA
HG115FL-2
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GaAs宽带单片集成VCO

频率:8-12.5GHz,输出功率:9dBm,相位噪声@100KHz:-94dBc/Hz,5V,45mA
IVO0812
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GaAs低噪声放大器芯片

频率:7-12.5GHz,最大增益:21dB,噪声系数:1.2dB,输出功率:8dBm,4V,40mA芯片尺寸:1.9*1.05*0.1
AMLA0006S