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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,增益:11dBm,输出功率:21dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:17-26GHz,增益:11dBm,输出功率:16dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:13dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:31.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4142S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:4GHz-4GHz,增益10dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC4117S-4
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC41143S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益11dBm,输出功率:32.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41142S-8