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低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,增益:11dBm,输出功率:21dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:17dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:17dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:7-15GHz,增益:18dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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无引线封装功率放大器

频率:8-12GHz,最大增益18dBm
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:19.5dBm,5V,0.08mA
HG125F
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:14dB,输出功率:23dBm,5V,0.185mA
HG125F5
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:15dB,输出功率:26dBm,8V,0.14mA
HG125F7