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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:22dBm,输出功率:19dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:25dBm,输出功率:20dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:25dBm,输出功率:20dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:11dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC41145S-8
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益25dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-11GHz,最大增益34dBm
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无引线封装功率放大器

频率:8-12GHz,最大增益18dBm
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:27dB,噪声系数:1dB,输出功率:19dBm,5V,95mA
HG115FQ
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:19.5dBm,5V,0.08mA
HG125F