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介质振荡器

频率:11-12GHz,最大增益26dBm
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介质振荡器

频率:12-13GHz,最大增益26dBm
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:16dBm,输出功率:21.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:20dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:13-17GHz,增益:20dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:13dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:15dBm,输出功率:26dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:14.5GHz-14.5GHz,增益6dBm,输出功率:23dBm,射频端口:贴装焊接
NC4145S-14
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无引线封装功率放大器

频率:8-12GHz,最大增益18dBm
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功率放大器芯片

频率:2-18GHz,最大增益:10dB,输出功率:27dBm,8/0.145V
HG136F-4
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:14dB,输出功率:23dBm,5V,0.185mA
HG125F5
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中功率放大器芯片

频率:6-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:23.5dBm,5V,0.185mA
HG125F3
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中功率放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:15dB,输出功率:26dBm,8V,0.14mA
HG125F7
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中功率放大器芯片

频率:15-18GHz,最大增益:6.5dB,输出功率:23dBm,5V,0.193mA
HG126F5