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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益11dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:2.7-3.5GHz,最大增益10dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益21dBm
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益7.5dBm,输出功率:150W,射频端口:贴装焊接
3DA519
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益7dBm,输出功率:100W,射频端口:贴装焊接
WD0618
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益7.4dBm,输出功率:110W,射频端口:贴装焊接
3DA510
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益8dBm,输出功率:150W,射频端口:贴装焊接
3DA532
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Si 脉冲功率晶体管

频率:2.7GHz-3GHz,增益8.5dBm,输出功率:110W,射频端口:贴装焊接
3DA529
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Si 脉冲功率晶体管

频率:2.8GHz-3.1GHz,增益8.5dBm,输出功率:110W,射频端口:贴装焊接
3DA530
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GaN功率管芯

频率:1-13GHz,最大增益:dB,输出功率:50dBm,28V,2100mA芯片尺寸:2.8*0.95*0.1
AMPT1X02S