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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:8.5dBm,输出功率:9.5dBm,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-11GHz,最大增益21dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8.5-9.5GHz,最大增益19dBm
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低噪声放大器模块

频率:6-11GHz,最大增益47dBm
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低噪声放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益32dBm
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:26dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:10dBm,5V,30mA
HG115FN-1
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压控振荡器

频率:5-9.2GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-100dBc/Hz,5V,65mA
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压控振荡器

频率:7-12GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-96dBc/Hz,5V,65mA
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压控振荡器

频率:6.8-12.6GHz,输出功率:9dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,65mAmA
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压控振荡器

频率:6-9.6GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,65mAmA
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压控振荡器

频率:10-13.5GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-94dBc/Hz,5V,60mAmA
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压控振荡器

频率:8-12.5GHz,输出功率:10dBm,相位噪声@100KHz:-95dBc/Hz,5V,65mA
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:26dB,噪声系数:1.2dB,输出功率:10dBm,4V,60mA
HG115FL-2
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GaAs宽带单片集成VCO

频率:8-12.5GHz,输出功率:9dBm,相位噪声@100KHz:-94dBc/Hz,5V,45mA
IVO0812
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GaAs低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,最大增益:8.5dB,噪声系数:2.2dB,输出功率:9dBm,4.1V,16mA芯片尺寸:1.2*1.0*0.1
AMLA0008S