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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm
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功分器

18.2-21.2GHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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功分器

17700-21200两路0°功分器,SMA-K
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,