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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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功分器

10-3000MHz两路0°功分器,国产化替代RPS-2-30+
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电桥

200-3000MHz宽带90°3dB电桥,微带针
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功分器

2-2.5GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz三路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz五路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-4000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-4000MHz,两路0°功分器,SMA-K
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功分器

950-2150MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

400-2700MHz八路0°功分器,SMA-K