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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5