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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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功分器

4-12GHz三路0°功分器,SMA-K
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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功分器

9-9.5GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

4-12GHz八路0°功分器,SMA-K
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隔离器

9925-10325MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4