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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm
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功分器

18.2-21.2GHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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功分器

20-40GHz吧路0°功分器,2.92-K
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功分器

18GHz-40GHz八路0°功分器,2.92-K,功率20W
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功分器

20000-50000MHz两路0°功分器,2.4-K
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功分器

18-40GHz两路0°功分器,2.92-K
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:15dB
HGC157
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:25dB
HGC157L
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:20dB
HGC158L