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...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1669C-218
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°两路功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:17dB
NC6507C-618U
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC1601C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC16114C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1627C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118PD
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618M
...

°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
NC6534C-1218
...

°三路功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:18dB
NC6526C-1218
...

隔离器

12-15GHz隔离器，SMA-K，隔离度18，损耗0.6
DG5-12-15G-274
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隔离器

8-15GHz隔离器，SMA-K，隔离20，损耗1
DG5-8G-15G-066

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