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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB
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功率分配/合成器模块

频率:18-26GHz,最大增益1.2dBm
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一分二功分器芯片

频率:16-28GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:25dB
HG127G
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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一分二功分器芯片

频率:12-30GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:20dB
HGC159
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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一分二功分器芯片

频率:21-25GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG127GA
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一分二功分器芯片

频率:18-26GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:24dB
IPD-1826