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...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1615C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112M
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112NL
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112PD
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
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隔离器

8-15GHz隔离器，SMA-K，隔离20，损耗1
DG5-8G-15G-066
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单刀双掷

频率:0-13GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:40dB,
HGC1015LP4

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