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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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功分器

1-18GHz八路0°功分器,SMA-K
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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电桥

1-3GHz电桥,90°,接口微带焊盘,功率50W
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功分器

1000-1100四路0°不等分功分器,SMA-K
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功分器

1000-4000MHz三路0°功分器,SMA-K,10W
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功分器

1-12GHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

1-12GHz两路0°功分器,SMA-K
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电桥

1000-2000MHz,90°电桥,200W
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一分二功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:18dB
HGC151
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一分二功分器芯片

频率:1-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:20dB
HGC153
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一分二功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:18dB
HGC151LP3
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一分二功分器芯片

频率:1-9GHz,插入损耗:1dB,隔离度:23dB
IPD-0109
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一分二功分器芯片

频率:1-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:22dB
IPD-0118