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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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隔离器

758-803MHz隔离器,100W,N-K
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隔离器

456-472.5MHz隔离器,130W,N-K
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1