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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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隔离器

33100-33300MHz隔离器,2W,2.92-J/J
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,
ISW3B2