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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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隔离器

12-15GHz隔离器,SMA-K,隔离度18,损耗0.6
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5
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隔离器

9200-9600MHz隔离器,微带针接口
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隔离器

8600-9600MHz隔离器,SMA-K,5W
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
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GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1B2